Rambus DRAM

Pamięć DRDRAM (Direct Rambus DRAM) zaprojektowana i swego czasu ostro preferowana przez firmy i Intel Rambus. Składa się z trzech elementów: kontrolera pamięci na płycie głównej, kanału (który umożliwia komunikowanie się z podzespołami pamięciowymi) oraz układów scalonych DRDRAM. Kontroler zarządza maksymalnie czterema kanałami, pozwalając na czterokrotne zwiększenie przepustowości danych. Opiera się na 18-bitowej szynie danych, wyposażonej w korektę błędów ECC (Error Correction Code)- bez korekty szerokość szyny wynosi 16 bitów. Kanał dysponuje też szyną kontrolną o szerokości 8 bitów. Szyna odwołuje się do wierszy i kolumn w oddzielnych liniach, umożliwiając adresowanie następnej komórki w czasie trwania transmisji danych zainicjowanej poprzednim poleceniem. Układy są taktowane częstotliwością 350 lub 400 MHz, natomiast moduły są oznaczane odpowiednio PC 700 albo PC 800, gdyż wykorzystywane są oba zbocza sygnału. Maksymalna prędkość transmisji danych na szynie wynosi 1,6 GB/s i jest osiągana nawet wtedy, gdy na płycie zainstalowano tylko jeden moduł Rambus. Pamięć Rambus-DRAM jest o około 60 procent szybsza od SDRAM PC 133. Z uwagi jednak na pamięć podręczną drugiego poziomu, zintegrowaną w procesorach, zwyżka wydajności jest praktycznie tylko pięcioprocentowa. Pamięć Rambus-DRAM jest dostępna w modułach typu RIMM. Zgodnie ze specyfikacją, muszą być wyposażone w metalową płytkę, pełniącą funkcję radiatora. Jeśli w którymś z gniazd nie ma modułu RIMM, trzeba umieścić w nim specjalną zaślepkę C-RIMM, aby zapewnić ciągłość linii danych i linii sterowania, zachowując w ten sposób strukturę magistrali.