NAGRYWARKI | PROGRAMY | TESTY | DYSKI TWARDE/SSD | BIOSY | ARTYKUŁY | FAQ | NAGRYWANIE od A do Z | ENCYKLOPEDIA | FORUM | Nośniki | Konsole | Księgarnia | Zabezpieczenia płyt | Zaloguj |
Pamięć Flash należy do grupy pamięci EEPROM (ang. Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory - wymazywalna elektrycznie programowalna pamięć stała). W odróżnieniu od standardowych pamięci EEPROM, nowa pamięć Flash jest szybsza, gdyż pozwala na zapis lub wymazywanie zawartości wielu komórek pamięci w trakcie jednej operacji programowania.
Na rynku dostępne są dwie wersje pamięci Flash - NOR i NAND - a ich nazwy określają wykorzystany w każdej komórce typ bramki logicznej (funkcje logiczne NOR lub NAND pozwalają na zdefiniowanie dowolnej funkcji logicznej).
Już w 1988 firma Intel opracowała pierwszą pamięć NOR. Jej zaletą jest bezpośredni dostęp do poszczególnych komórek pamięci, dzięki czemu doskonale nadaje się do wykorzystywania jej jako kość pamięci przechowująca firmware (BIOS) w wielu urządzeniach. Pamięć Flash NOR nie jest pozbawiona wad, np. ma długie czasy zapisu i kasowania – możemy wykonać od 10 000 do 100 000 takich cykli.
Rok po premierze pamięci NOR, firmy Samsung i Toshiba wprowadziły pamięci NAND. Od swoich poprzedniczek cechują się niższymi cenami w przeliczeniu na jednostkę pojemności, krótszymi czasami zarówno zapisu jak i kasowania, dziesięciokrotnie większą liczbą możliwych cykli wymazywania oraz większą gęstością upakowania danych na jednostce powierzchni. Jednakże pamięć NAND jest pozbawiona możliwości bezpośredniego dostępu do każdej z komórki; toteż znalazła główne zastosowanie jako pamięć masowa, gdzie przeszkody nie stanowi sekwencyjny dostęp do danych.
Zalety pamięci Flash typu NAND spowodowały zwycięstwo tego standardu w bitwie, w której przeciwnikiem były pamięci NOR. Wiosną 2006 roku nawet Intel (firma wprowadzająca na rynek pamięć typu NOR) zaczął promować swoje pamięci NAND Flash.