Samsung planuje rozpoczęcie produkcji nowej generacji pamięci 3D NAND flash o 64-warstwach już pod koniec bieżącego roku. samsung_v-nand_1 Nowe pamięci znajdą zastosowanie głównie w topowych modelach smartfonów. Wytwarzane będą w fabrykach koncernu w Pyeongtaek (Korea Południowa) oraz Xian (Chiny). Zwiększenie ilości warstw w pamięciach 3D NAND flash z obecnie stosowanych 48 do 64 przez Samsunga ma na celu wyprzedzenie największego konkurenta na tym rynku – Toshiba. Firma ta również zapowiedziała rozpoczęcie produkcji kości pamięci dla smartfonów w technologii 64-warstwowych 3D NAND, ale dopiero w połowie 2017 roku.

Źródło: CDR Info