Samsung rozpoczął masową produkcję kości pamięci 3D V-NAND flash posiadających aż 64 warstwy.

Już od stycznia fabryki Samsung produkowały takie kości, ale dotychczas w ilościach pozwalających jedynie na zaspokojenie zapotrzebowania wybranych klientów kluczowych. Teraz firma przestawiła się na masową produkcję chipów trójwymiarowych oferujących 256 Gb pojemności.

Układy mieszczą 3 bity na komórkę pamięci. Mają najkrótszy czas programowania ze wszystkich układów obecnych na rynku masowym – 500 mikrosekund. Jest to wynik 1,5x razy lepszy w porównaniu do wcześniejszych, 48-warstwowych kości Samsung 3D V-NAND flash.

Firma planuje do końca roku przestawić ponad 50% swojej pojemności produkcyjnej na wytwarzanie kości 4-generacji V-NAND.

Źródło: Samsung