Świeżo powstała firma Kioxia (z przekształcenia Toshiba Memory) poinformowała o wynalezieniu nowej struktury komórek pamięci flash. Chwali się, że to pierwsze na świecie „podwójne” rozwiązanie 3D. Nowa architektura półprzewodnikowych komórek 3D pamięci z rozdzielonymi bramkami bazuje na specjalnie zaprojektowanych bramkach pływających. Strukturę nazwano Twin BiCS FLASH. Obraz mikroskopowy przedstawia powyższe zdjęcie. Dzięki nowej strukturze osiągnięto większe natężenie i większe okno programowania/kasowania komórki przy jednoczesnej redukcji jej rozmiaru (w porównaniu do tradycyjnych komórek Charge Trap). Dzięki temu będzie możliwe wytworzenie kości pamięci o lepszych parametrach i wyższej gęstości danych w porównaniu do QLC 3D BiCS NAND flash.

Źródło: Hexus