Samsung przedstawił nowe rozwiązania trójwymiarowych pamięci V-NAND flash. W erze szybkiej popularyzacji Internetu Rzeczy rośnie zapotrzebowanie na analizę informacji w czasie rzeczywistym.

Firma Samsung zaprezentowała pojedyncze chipy V-NAND o pojemności 1 Tb. Pojawią się one w powszechnym użyciu w przyszłym roku. Złożenie 16 takich chipów w jednym układzie pozwoli na produkcję 2 TB kości pamięci 3D V-NAND flash.

Rozwiązania NGSFF SSD mieszczą w 16 TB pojemności w napędzie o wymiarach 30,5 x 110 x 4,38 mm. Przy znakomitych współczynnikach wydajności pozwala to na zbudowanie pamięci masowej o pojemności 576 TB w module 1U przy oferowaniu dostępu losowego na poziomie 10 000 000 IOPS. Użycie w serwerze wielkości 1U 36 napędów 16 TB NGSFF SSD da trzyktornie wyższą wydajność niż w przypadku wykorzystania napędów SSD 2,5-cala.

Samsung przedstawił także pierwszy napęd w technologii Z-SSD – model SZ985. Opóźnienie odczytu wynosi zaledwie 15 mikrosekund. W porównaniu do napędów NVMe SSD pozwoli to na osiągnięcie 12-krotnie wyższej wydajności na poziomie aplikacji.

Źródło: Samsung