Western Digital przygotowało linię pamięci wbudowanych EFD (embedded flash drive) z myślą o kolejnych generacjach zaawansowanych smartfonów korzystających z łączności 5G. Urządzenia te mają mieć w założeniu duży apetyt na wydajne i pojemne pamięci, a nowe układy spełniają oba te warunki. Układy o oznaczeniu iNAND MC EU511 są w pełni zgodne ze standardem Universal Flash Storage (UFS) 3.0 Gear 4/2 Lane. WD zastosował w nich własne, 96-warstwowe (a zatem jak najbardziej podążające za najnowszymi standardami) układy 3D NAND flash, które dzięki rozwiązaniu iNAND SmartSLC szóstej generacji osiągają transfery przy zapisie do 750 MB/s. Układy będą dostępne w pojemnościach 64, 128, 256 i 512 GB, mogąc zarówno pod względem pojemności jak i wydajności konkurować z niejednym pecetem w podstawowej konfiguracji. Western Digital zapewnia, że nowe układy w zupełności wystarczą, aby telefony z nimi w środku w zupełności radziły sobie od strony pamięci masowej z obsługą aplikacji korzystających z rzeczywistości rozszerzonej, wirtualnej rzeczywistości (AR/VR) oraz z nowoczesnymi grami mobilnymi. Próbki inżynieryjne iNAND MC EU511 EFD są już dostępne dla zainteresowanych producentów. Źródło: CDRinfo.com