Pamięci Samsung GDDR6 nadchodzą

Podczas gdy SK Hynix promuje pamięci HBM3 dla kart graficznych o przepustowości 2 TBps inny koreański producent – Samsung – planuje wdrożenie konkurencyjnego rozwiązania. Pamięci GDDR6 mają być gotowe do masowego startu już w 2018 roku. Obecnie stosowane high-endowe pamięci GDDR5X oferują przepustowość na poziomie 10 Gbps. Nowa generacja zapowiedziana przez Samsung ma zapewnić aż 16 Gbps. Oznacza to transfery na poziomie 512 GBps przy szynie 256-bitowej i 768 GBps przy szynie 384-bitowej. Największą jednak innowacją jest LP4X. Przy tej metodzie kontroler pamięci reguluje zasilanie proporcjonalnie do taktowania, co daje około 20% oszczędność na zużyciu energii. Przy prądożerności obecnej generacji kart graficznych daje to spory zysk i na kosztach prądu, i na obciążeniu zasilacza.

Źródło: Computer Base