Samsung właśnie rozpoczął masową produkcję kości 512 GB eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0. Znajdą one zastosowanie w nadchodzących generacjach urządzeń mobilnych, gdzie z powodzeniem zastąpią znacznie wolniejsze eMMC.

Transfery pamięci wbudowanych mogą być problemem już teraz, choćby przy wyświetlaniu obrazu w bardzo wysokich rozdzielczościach nawet na stosunkowo niewielkim ekranie smartfona a nie wspominając nawet o streamingu na TV wysokich rozdzielczości czy zapisie video przez coraz doskonalsze kamery w komórkach. Problem ten staje się pomijalny dzięki możliwością eUFS.

Już poprzednia generacja eUFS 2.0 oferowała transfery 1,4x wyższe niż eMMC 5.1, które wówczas dominowało na rynku. Nowy standard eUFS 3.0 to już osiągi mogące konkurować z napędami SSD z ultrabooków – transfery wynoszą 2 100 MBps dla odczytu danych i 410 MBps dla zapisu. Współczynniki wydajności to znakomite 63 000 IOPS i 68 000 IOPS (odpowiednio). A pamiętajmy, że mowa o układach dla smartfonów.

Nowe kości Samsunga to zamknięcie w jednym układzie ośmiu chipów 512 Gb V-NAND piątej generacji razem z zaawansowanym kontrolerem. Producent zapowiada już 1 TB wersję pod koniec bieżącego roku. Obecnie oferowana jest, oprócz 512 GB, wersja 128 GB. W drugiej połowie roku dostępna ma być też 256 GB.

Źródło: Transcend