Z-NAND to bardzo wydajne pamięci opracowane przez Samsunga. Mają one konkurować z Intel Optane.

Dzięki współpracy Intela i Microna opracowano pamięci XPoint zapewniające niezrównaną wydajność ze szczególnym naciskiem na minimalizację opóźnień. Gwarantowany sukces tych kości nie mógł ujść uwagi konkurencji – kawałek tego tortu chce uszczknąć dla siebie Samsung.

Z-NAND to kości NAND flash typu SLC sparowane z usprawnionym kontrolerem. Ma to zapewnić znacznie wyższe osiągi i w kwestii transferów sekwencyjnych, i przy losowym dostępie (IOPS). Pamięci Intel/Micron typu XPoint zapewniają opóźnienia rzędu 10 mikrosekund – Z-NAND 12 microsekund przy odczycie i 20 przy zapisie.

Wytrzymałość obu technologii ma być na identycznym poziomie. Porównując Optane P4800X Intel z Samsung SX985 (które jednak dopiero zadebiutuje w postaci karty PCIe typu HHHL) urządzenie bazujące na Z-NAND da wyższą wydajność IOPS przy odczycie (750 000 do 550 000) jednak niższą przy zapisie (175 000 do 550 000). Przepustowość sekwencyjna ma wynosić 3,2 GBps w obu kierunkach (dla Optane – odczyt 2,4 GBps, zapis 2 GBps). Zależnie więc od zastosowań przewagę uwidoczni jedna z konkurencyjnych technologii.

Źródło: Samsung