16Gb flash w technologii 50nm

Radek Nimal - Wednesday, 03 January 2007, 19:07

Samsung poinformował o trwających testach nowych pamięci NAND flash o pojemności 16Gb i wykonanych w technologii 50nm.

flashsamsung50nm.jpg



W stosunku do standardowych pamięci NAND zwiększono dwukrotnie rozmiar komórki pamięci (do 4KB) dzięki czemu uzyskano 150% wzrost wydajności przy zapisie.
Już wcześniej Samsung zajmował się 32Gb urządzeniami NAND w technologii 40nm. Firma pracuje cały czas nad rozwiązaniami, które pozwolą jej produkować na szeroką skalę SSD.
Pamięci flash w technologii 50nm trafią na rynek w pierwszym kwartale bieżącego roku.

Źródło: The Money Times
«
»

Tagi:

Komentarze (0)
  1. Jarson pisze:
    4 stycznia 2007 o 7:44

    W sumie chodzi g³ównie o technologiê wykonania, a nie o pojemno¶æ, bo to siê równa 2GB, nie za bardzo rozumiem, dlaczego we ¼ródle opisali mo¿liwo¶ci tej karty tak jakby chodzi³o o pojemno¶æ 16GB…

  2. nimal pisze:
    4 stycznia 2007 o 11:46

    chyba im sie cos pokrecilo – nikt inny nie pisal o tych pamieciach jak o kartach, wiec ten jeden akapit to chyba po prostu blad
    bo tez tu nie chodzi o karty

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.