Flash w technologii 56nm

Radek Nimal - Wednesday, 24 January 2007, 23:33

Firmy SanDisk i Toshiba zapowiedziały dostarczenie wiosną bieżącego roku pierwszych pamięci NAND flash wykonanych w technologii 56nm.

2309sandisk_toshiba_56-nm_16-gigabit_nand_flash_memory.jpg



Da to najwyższą w chwili obecnej gęstość zapisu danych w pojedynczym chipie pamięci flash. W pierwszym kwartale bieżącego roku rozpocznie się produkcja chipów MLC NAND flash w nowej technologii o pojemności 8Gbit (1GB). Już w drugim kwartale pojemność zostanie podwojona do 16Gbit (2GB).
Oczywiście pojemności dotyczą pojedynczego chipa. W urządzeniach komercyjnych są one łączone w zespoły. Dzięki nowym chipom o większej gęstości karty pamięci, PenDrivy i inne urządzenia będą dysponowały większą pojemnością. Wzrosną też uzyskiwane prędkości zapisu i odczytu danych.

Źródło: Physorg
«
»

Tagi:

Komentarze (0)
  1. zbynia pisze:
    25 stycznia 2007 o 1:29

    no czas najwyzszy porzadnie je przyspieszyc – bo pojemnosci najgorsze nie sa

  2. Belisarius pisze:
    27 stycznia 2007 o 20:37

    CZEKAMY NA 100GB PENDRIVY 🙂

  3. Jarson pisze:
    30 stycznia 2007 o 21:45

    Te tañsze PD mamj± obecnie oko³o dwóch chipów, jak siê orientujê w sobie (po obu stronach p³ytki po jednym), tak wiêc mialyby one co najmniej 2GB w takim wypadku, nie¼le…

    Rzecz jasna s± jeszcze dro¿sze, wielochipowe 🙂

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.