Firmy Epson i Fujitsu zaprezentowały wyniki badań swoich połączonych zespołów nad dostarczeniem technologii Ferroelektrycznych Pamięci Swobodnego Dostępu (FRAM).
Prace nad rozwojem technologii FRAM przez połączone siły obu firm trwały od 2005 roku. Udało się osiągnąć trzykrotne przyspieszenie względem konwencjonalnych FRAM oraz wydłużyć żywotność produktu (pamięci wytrzymują ponad 100 trylionów operacji zapisu i odczytu). Pamięci te są kompatybilne z istniejącymi układami CMOS (nie wymagają przebudowy ich operacji logicznych), więc nie ma przeszkód w szybkim wdrożeniu tych niezwykle szybkich i bezpiecznych układów do masowej produkcji.
Na schemacie przedstawiona jest struktura kryształu, z którego powstają nowe pamięci.
Źródło: WebWire
jezeli rzeczywiscie sa szybkie i bezpieczne oraz da rade upakowac duza ilosc dancyh an ma³ej powierzchni toby sie nadawa³y jako dyski twarde zamiast dysków flash
Nie za bardzo, co prawda pamiêæ jest nieulotna, ale te du¿e upakowanie bierze za punkt odniesienia raczej zwyk³e pamiêci RAM, a nie na przyk³ad dyski twarde, tak wiêc zajmowa³oby co¶ takiego trochê miejsca
i nie wejda do produkcji bo plumbum robi swoje do kompletu z dyrektywa ROHS……………