Firma Toshiba zaprezentowała dziś nowe komórki pamięci flash NAND. Dzięki trójwymiarowej strukturze wzrosła gęstosć upakowania danych i, tym samym, pojemność bez zmiany procesu technologicznego i kosztem minimalnego wzrostu wymiarów chipa pamięci.
Firma uważa, że to znaczny krok w rozwoju pamięci flash, który pozwoli sprostać rosnącym wymaganiom rynku na pojemne moduły flash.
W normalnych modułach pamięci komórki są ułożone płasko w kolejnych warstwach jedne na drugich. Toshiba zoptymalizowała przestrzenną organizację elementów redukując długość obwodów i układając elementy pionowo w stosach zorganizowanych w filary porozdzielane warstwami elektrod. Schemat struktury przestrzennej obrazuje załączona rycina.
Pamięć flash funkcjonuje dzięki kolejnemu odczytowi wielu komórek w serii. Nowa technologia umożliwia ich gęstsze upakowanie przestrzenne a ilość połączeń rośnie proporcjonalnie do wielkości stosów. Przykładowo 32 warstwowy stos komórek pamięci zorganizowanych według nowej technologii daje dziesięciokrotny wzrost upakowania względem standardowej pamięci przy tej samej wielkości pojedynczego modułu.
W porównaniu do standardowego procesu produkcyjnego, dzięki nowej organizacji przestrzennej pamięci dalszy wzrost pojemności będzie wymagał mniejszych nakładów finansowych.
Źródło: Azonano
No ka¿da taka informacja cieszy niezmiernie, jeszcze tylko ¿eby teraz nie opatentowali swojego pomys³u, bo to przyhamowa³oby rozwój pamiêci przynajmniej w tym kierunku i bêdzie dobrze… 10-krotny wzrost upakowania oznacza teoretyczn± mo¿liwo¶æ robienia naprawdê kolosalnych modu³ów pamiêci (przynajmniej w porównaniu z obecnymi) – wyobra¼my sobie 80GB ko¶æ pamiêci micro SDHC+ (SDHC jest przystosowane do max 32GB). Oczywi¶cie to daleka przysz³o¶æ, bo takie co¶ by³oby teraz po prostu za drogie, nawet je¶li mo¿liwe do wykonania, koszt produkcji 1GB zmala³by mo¿e o 20-30%, a mo¿e i nie. Ale rozwi±zanie na pewno zaprocentuje, szczególnie, ¿e coraz czê¶ciej mówi siê o tym, ¿e ju¿ nied³ugo dojdziemy do granicy pomniejszania procesu technologicznego komórek pamiêci i rozwój w tym kierunku zatrzyma siê – trzeba wiêc my¶leæ o innych rozwi±zaniach.
moze toshiba nie opatentuje – najwazniejsze zeby nie znalazla sie firma krzak ktora juz na to patent posiada………
czekam na mikro sd o pojemnosci 32 giga :)))))
A ja jeszcze co¶ takiego znalaz³em (poprawka do mojej koncepcji SDHC+):
"(…) they release 16Gb and 32Gb MicroSD HC cards, but if the acceleration continues as it has, 8Gb cards will become common a lot sooner than 2010, with 32Gb cards likely to be common in that timeframe, and a MicroSD Super High Capacity likely to have been invented to allow these theoretical MicroSD SHC cards to store 100Gb or more"
Jeszcze odrobina wolnego t³umaczenia, poszerzona o niezacytowane tre¶ci:
Samsung, bo o nim mowa, po przedstawieniu swoich 8GB microSD (o czym ju¿ raczej wszyscy wiemy) napomkn±³ równie¿ o dalszych planach odno¶nie pamiêci TransFlash – pocz±tkowo planowa³ wypuszczenie na rynek microSD 16 i 32GB oko³o 2010, ale okazuje siê, ¿e mo¿e staæ siê to znacznie szybciej. Wobec tego nale¿a³o pomy¶leæ o nowym rozwi±zaniu, które pozwoli na ci±g³y rozwój rynku – jest nim format microSD Super High Capacity, w którym mo¿liwe bêdzie wykonanie kart o pojemno¶ci 100GB i wiêkszych.