Potencjalnym następcą popularnych pamięci flash są pamięci zmiennofazowe. Intel i STMicroelectronics współpracują nad wprowadzeniem produktów w nowej technologii do końca tego roku. Firma Samsung już obwieściła, że takie moduły będą gotowe przed końcem 2007 r.
Pojęcie pamięci zmiennofazowych zostało sformułowane w latach 60-tych. Oferując prędkość zapisu do 10ns na jeden bajt są one około 100 tysięcy razy szybsze od pamięci flash. W dodatku, są od nich trwalsze - można na nich dokonać zapisu do 100 milionów razy na sektor. Umożliwiają przechowywanie danych przez długi czas bez ryzyka ich uszkodzenia. Ostrożne prognozy mówią nawet o 10 latach. Natomiast pamięci flash, wytrzymują 10-100 tysięcy zapisów na sektor. Później ich wydajność spada.
Firma Samsung poinformowała że zacznie produkcję od modułów o pojemności 512MB. Nieznana jest jeszcze cena produktu.
Pamięć zmiennofazowa – następca flasha coraz bliżej
Bartek Wróbel - Friday, 17 August 2007, 00:13Komentarze (0)
Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.
licze na samsunga……intel to niech idzie kombinowac z rambusem…..
Przelom?