Firma Toshiba poinformowała o przełomie w technologii produkcji pamięci MRAM.
Prezentacja osiągnieć firmy nastąpiła na zakończonej dziś konferencji 52nd Magnetism and Magnetic Materials Conference w Tampa na Florydzie (USA). Firmie udało się wyprodukować działające komórki pamięci i osiągnąć stabilne osiągi. Ze szczegółami technicznymi można zapoznać się w oświadczeniu firmy. Sama budowa komórek pamięci MRAM jest relatywnie prosta. Zapis odbywa się dzięki polu elektromagnetycznemu generowanemu dzięki określonemu spinowi elektronów. Problemem dotychczas było właśnie przełączanie kierunki spinu. Zapis wymaga użycia minimalnych ilości energii a całe komórki charakteryzuje wysoki poziom integracji.
Źródło: Toshiba
Hmm Pisz± co¶ ¿e ta technologia mo¿e byæ wykorzystana do produkcji dysków twardych lub w zasadzie ich zamienników. Wydaje siê byæ zrozumia³e ¿e koncerny produkuj±ce dyski twarde pracuj± nad nowymi technologiami bo standardowemu zapisowi wydaje siê coraz bardziej kurczyæ czas ¿ycia.
nie no bez przesady – zapis na hdd jest raczej trwaly – to raczej to 3 lata sprawdzone osobiscie 🙂
ja sie zastanawiam jak to bedzie odporne na polemagnetyczne bo to powoli zaczyna byc pewnie problemem………