Naukowcy zatrudnieni w Toshibie prowadzą intensywne prace nad 10nm procesem produkcyjnym swoich pamięci NAND flash, wytwarzanych w technologii double tunneling layer. Osiągnięcie tego celu (które ma nastąpić w przeciągu najbliższych czterech lat) pozwoli na produkcję pojedyńczych układów o pojemności 100Gb.
Dotychczas najbardziej zaawansowane chipy pamięci flash przedstawił Samsung - są one wykonane w procesie produkcyjnym 30nm i oferują pojemność 64Gb, a na rynku mają pojawić się w 2009 roku.
Jednocześnie Toshiba nie zaprzestaje prac nad trójwymiarową strukturą układów flash. Możliwe jest także połączenie obydwu koncepcji, co może skutkować kolejnym wzrostem pojemności pojedyńczych chipów.
Źródło: Tech Connect