43nm proces produkcji pamięci flash SanDiska

Jarson - Thursday, 07 February 2008, 18:04

SanDisk ogłosił, że jest gotowy samodzielnie wytwarzać pamięci MLC NAND Flash w procesie technologicznym 43nm. Dzięki nowemu procesowi na tej samej powierzchni da się zmieścić dwa razy więcej komórek pamięci w porównaniu do starego, 56nm. Oznacza to wzrost pojemności pojedyńczych chipów z 16 do 32Gb.







Ze względu na zwiększenie pojemności chipów (a co za tym idzie spadek kosztów produkcji 1GB pamięci) SanDisk chce jak najszybciej rozpocząć produkcję w nowym procesie. Przewiduje, że uda się to już w drugim kwartale bieżącego roku. Pierwsze chipy z komórkami pamięci o wielkości 43nm wytwarzane będą w fabryce Fab 4 (otwartej wspólnie przez SanDiska i Toshibę) , w drugiej połowie bieżącego roku do ich rodukcji powinna już być zaadoptowana fabryka Fab3.
Pamięci MLC (multi-level cell) NAND flash charakteryzują się dwukrotnie większą pojemnością niż SLC (single-level cell) stworzone w tym samym procesie technologicznym, ze względu na to, że w jednej komórce pamięci można przechowywać dwa bity informacji. Niestety, ze względu na większe skomplikowanie układu są one wolniejsze, a poza tym droższe w produkcji.


Źródło: Tech Connect

Tagi:

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.