SanDisk ogłosił, że jest gotowy samodzielnie wytwarzać pamięci MLC NAND Flash w procesie technologicznym 43nm. Dzięki nowemu procesowi na tej samej powierzchni da się zmieścić dwa razy więcej komórek pamięci w porównaniu do starego, 56nm. Oznacza to wzrost pojemności pojedyńczych chipów z 16 do 32Gb.
Ze względu na zwiększenie pojemności chipów (a co za tym idzie spadek kosztów produkcji 1GB pamięci) SanDisk chce jak najszybciej rozpocząć produkcję w nowym procesie. Przewiduje, że uda się to już w drugim kwartale bieżącego roku. Pierwsze chipy z komórkami pamięci o wielkości 43nm wytwarzane będą w fabryce Fab 4 (otwartej wspólnie przez SanDiska i Toshibę) , w drugiej połowie bieżącego roku do ich rodukcji powinna już być zaadoptowana fabryka Fab3.
Pamięci MLC (multi-level cell) NAND flash charakteryzują się dwukrotnie większą pojemnością niż SLC (single-level cell) stworzone w tym samym procesie technologicznym, ze względu na to, że w jednej komórce pamięci można przechowywać dwa bity informacji. Niestety, ze względu na większe skomplikowanie układu są one wolniejsze, a poza tym droższe w produkcji.