Firma Toshiba zaprezentowała nową linię pamięci NAND flash wykonanych w 43 nm procesie technologicznym. Są to chipy SLC (single-level cell), które będą udostępnione w szesnastu wersjach od 512 Mb do 64 Gb w pierwszym kwartale przyszłego roku.
Produkty o pojemności 16, 32 i 64 Gb integrując chipy i 43 nm wymiar technologiczny będą układami o najwyższym stopniu gęstości na rynku. SLC odczytuje i zapisuje duże ilości danych jednocześnie przy zachowaniu wysokiej prędkości transferu. Oferta Toshiby skierowana jest m.in. do zastosowań w telefonach komórkowych, panelach telewizyjnych czy serwerach. Rozmiar chipa to 14x18 mm.
Toshiba: SLC NAND Flash w 43 nm
mirage - Wednesday, 29 October 2008, 08:50Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.