Pamięci nowej generacji – za 20 lat

Firmy Infineon i IBM będą wspólnie pracować nad nowym typem pamięci, w których zapis danych zmienia strukturę materiału. Pamięci wykorzystujące tzw. przejście fazowe to jedno z rozwiązań, które w przyszłości mogłyby zastąpić układy krzemowe.


Pracą nad nowym typem pamięci zajmie się zespół złożony z około 25 osób, który będzie pracować w nowojorskim i kalifornijskim laboratorium IBM. Oprócz naukowców IBM i Infineona, badania wesprze także tajwański Macronic. W pamięciach tego typu struktura materiału, z którego wykonany jest układ, zmienia się w wyniku bardzo szybkiego podgrzania. W efekcie materiał przechodzi ze stanu krystalicznego w amorficzny i odwrotnie. Odczyt danych dokonuje się za pośrednictwem lasera, który w inny sposób odbija się od materiału krystalicznego, a w inny od formy bezpostaciowej. W odróżnieniu od tradycyjnych pamięci, przechowywanie danych nie jest tu uzależnione od ładunków elektrycznych. Takie pamięci są więc potencjalnie bardziej trwałe, teoretycznie mogą mieć też szereg przewag nad aktualnie stosowanymi rozwiązaniami. Oczywiście zagrożeniem są uszkodzenia fizyczne, które mogą zniekształcić zapis.
Wysiłki firm Infineon i IBM wpisują się w coraz powszechniejszy trend poszukiwań technologii, które będą mogły zastąpić układy krzemowe, gdy możliwości ich miniaturyzacji zostaną już wyczerpane. Prace znajdują się jednak na bardzo wczesnym etapie – przewiduje się, że na skalę masową pamięci wykorzystujące przejście fazowe mogą zaistnieć nie wcześniej, niż za 20 lat. Oczywiście pod warunkiem, że efekty prac spełnią nadzieje pokładane w nowej technologii.