Samsung Electronics zaprezentował kość pamięci flash o pojemności 16 Gb. Chip opracowano w logice NAND, a do jego wytworzenia użyto procesu technologicznego 50 nm.
Nowe karty pamięci flash, bazujące na tak pojemnych układach scalonych, będą mogły mieć pojemność nawet 32 GB. Najnowszy chip Samsunga zawiera 16.4 miliardów tranzystorów , a pojedyncza komórka ma powierzchnię 0.00625 mikrona kwadratowego. Wielkość komórki została zmniejszona o 25 procent względem procesu technologicznego 60 nm, w którym wyprodukowane zostały pierwsze 8-mio gigabitowe pamięci NAND w ubiegłym roku.
Samsung oczekuje, że opracowanie 16 Gb układu scalonego przyspieszy dalej ekspansję rynku pamięci typu flash NAND, które w końcu zastąpią dyski twarde w komputerach osobistych i staną się nowymi podstawowymi „magazynami danych”.
Produkcja na szeroką skalę, opracowanych przez Samsunga, kości 16 Gb ma ruszyć w drugiej połowie 2006 roku. Prognozy rozwoju pamięci typu flash NAND są bardzo optymistyczne – wzrośnie błyskawicznie pojemność pojedynczego chipa, a udział w globalnym rynku pamięci flash może ulec podwojeniu w ciągu 5 lat.
kto wie moze i zastapia dyski twarde ktorych kres technologiczny widac coraz bardziej ale czy kosci nand wystarcza na dlugo? to jest pytanie
MIA£EM ROK FIZYKI, ALE STUDIUF JESZCZE NIE SKOÑCZY£EM. To musi byæ nie lada wyczyn ¿eby "na powierzchni 0.00625 mikrona kwadratowego" zmie¶ciæ "16.4 miliardów tranzystorów". Przypomne ¿e jeden (1) micron to 0.001mm. Z artyku³u wynika, ¿e na polu 0.000079mm x 0.000079mm jest 16.4miliadrów tranzystorków… jakim cudem Panie Krzysztofie ?
Hmm… Wychodzi, ¿e jeden tranzystor zajmuje powierzchniê kwadratu o boku ok. 1.95nm. Jako¶ mi to nie koresponduje z technologi± 50nm… 🙂
moze ¶cie¿ki s± s± po 50nm …. a tranzystorki po 1.98nm… tak jak w swiecie paj±ków czêsto bywa, samiec ma³y samica du¿a 🙂 s±dze ¿e ten kto pisa³ newsa troche po amerykañsku nie zrozumia³ artyku³u z The Korea Times gdzie chodzi³o o to ¿e 0.00625 microna ^2 zajmuje 1bit 🙂
ktos cos zle znow przetlumaczyl ..
jeden tranzystor ma powierzchnie tego wspanialego 0.00625 mikrona kwadratowego. Wystarczy zajrzec na strone Samsunga gdzie chwala sie "a NAND memory cell with 0.00625 square micron transitors in 50nm technology" …
takie sa skutki niedokladnego czytania czy tlumaczenia, kto co woli.
64 GB w aparacie?? Fajnie ale czy na pewno takie praktyczne… Juz teraz wolalbym miec dwie karty SD po 512MB a nizeli jedna 1GB. A jak przypadkiem sie zgubi albo ktos ja rozdepcze… A co z transferami? Na poziomie dyskow SATA??
@marek_haj
"0.00625 square microns per bit" =+- (0.000625 microna ^2 na jeden bit" – w pamiêciach NAND jeden bit sk³ada siê z wiêcej ni¿ jednego tranzystora, no chyba ¿e widzia³e¶ bramki na 1tranzystorze:)
@mroweczek: na razie mowi sie o Gb i a nie GB. Co do transferow wlasnie wyszly Kingstony seria Ultimate (karty SD) o zapisie ok 20 MB/s wiec nie jest tak zle.
BTW. 2×512 MB jest tansze od 1×1 GB 😉
Co Wy sie tych tranzystorow uczepiliscie, przeciez jeden na drugim moze byc pionowo i juz po krzyku… wtedy mozemy miec na wysokosc chip i w jednym jakims obszarze mozna powiekszyc kilku krotnie upakowanie tranzystorow, proste co nie?
Dziêki za czujno¶æ – poprawi³em 🙂
dobry jest opis wyra¼nie pisze "a pojedyncza komórka ma powierzchniê 0.00625 mikrona kwadratowego" czytajcie dok³adniej