Elastyczna pamięć SRAM

Koncern Seiko Epson opracował nowy układ pamięci SRAM o pojemności 16kb, umieszczony na elastycznym podłożu. Prototypowy układ jest wynikiem eksperymentu przeniesienia na elastyczne podłoże plastikowe krzemowej struktury TFT pamięci SRAM – pierwotnie zbudowanej na cienkim szkle – przy wykorzystaniu zastrzeżonej technologii "SUFTLA".



Jak podaje Seiko Epson, to pierwszy na świecie elastyczny układ SRAM wykonany z cienkiej niskotemperaturowej powłoki polikrystalicznego krzemu.
Jak podał rzecznik firmy, wynalazek przeszedł pierwsze pomyśle testy, współpracując z firmowym procesorem 8-bitowym. Każda komórka nowej pamięci składa się z sześciu tranzystorów. Wymiary pojedynczej komórki pamięci to 68 x 47,5 µm. Aby ograniczyć do minimum czas dostępu do pamięci w podłożu pamięci zintegrowano także wzmacniacze sygnału. Przy napięciu zasilania +6V, średni czas dostępu wynosi przy odczycie 200ns, natomiast dla zapisu wartość ta wynosi 100ns. Przy napięciu zasilania zmniejszonym do +3V, wartości tych czasów wynoszą odpowiednio 650ns i 325ns. Rozmiar nowych układów pamięci SRAM Seiko Epson to 10,77 x 8,28 mm, przy grubości wynoszącej 200µm.
W oparciu o technologię SUFTLA Seiko Epson opracowało już w przeszłości elastyczny papier elektroniczny oraz elastyczny asynchroniczny mikroprocesor 8-bitowy.