Firma Sumitomo Electric Industries, (SEI) zapowiedziała wprowadzenie do masowej produkcji dwu calowego substratu azotku galu (GaN). Podłoże GaN jest podstawowym składnikiem dla stabilnej produkcji wysokiej jakości laserów fioletowych wysokiej mocy wykorzystywanych do zapisu następnej generacji dysków optycznych o dużej pojemności, czyli obsługujące standardy Blue-Ray i Advanced Optical Disc (AOD). SEI przewiduje, że zainteresowanie rynku substratem GaN wzrośnie wraz z zapotrzebowaniem na następnej generacji urządzenia obsługujące w/w standardy, dzięki czemu GaN stanie się trzecim elementem biznesowym SEI, wraz z arsenkiem galu (GaAs) oraz fosforkiem indu (InP). Miesięczna produkcja ma rozpocząć się od 200 by docelową ilość, 500 – osiągnąć w październiku. Konwencjonalne odtwarzacze DVD wykorzystują czerwony laser, oparty o arsenek galu (GaAs) jako źródło światłą dla operacji odczytu i zapisu dysków optycznych. Jakkolwiek w celu nagrywania i odtwarzania programów HDTV niezbędne jest wykorzystanie następnej generacji dysków wysokiej pojemności – przekraczającej pięciokrotnie pojemność zwykłych dysków DVD.
Fioletowy laser, który charakteryzuje się mniejszą długością fali od czerwonego jest wykorzystywany właśnie do zapisu dysków nowej generacji. Fioletowy laser wykorzystuje emisję laserową warstwy epitaksjalnej GaN. W osadzaniu warstwy epitaksjalnej GaN często wykorzystuje się szafirowe podłoże. Jako że właściwości fizyczne substratów szafirowego i GaN są różne obecność szafiru może powodować zagęszczenie defektów liniowych do bardzo wysokiego poziomu. Rozszczepianie wiązki światła wzrasta tak bardzo, że redukuje moc wyjściową i ogranicza czas życia lasera. W rezultacie powstaje duże zapotrzebowanie na wysokiej jakości oraz dużej średnicy substrat azotku galu. Mimo iż technologia produkcji GaN jest czynnie rozwijana na całym świecie, to produkcja samego GaN jest nadal bardzo trudna z powodu rozpadu związków azotu w wysokim ciśnieniu. Wykorzystując swoje doświadczenie w hodowli kryształów i przetwarzaniu półprzewodników intermetalicznych (GaAs i InP), SEI jest w stanie wyprodukować substrat GaN o następujących właściwościach:

• Duża średnica (2 cale)
• Niskie zagęszczenie defektów liniowych (o ponad 100,000 lub mniej na centymetr kwadratowy)
• Lepszy współczynnik rozszczepiania, będący kwestią kluczową w produkcji laserów o wysokiej wydajności.

SEI ma bardzo bogate doświadczenie w produkcji i rozwijaniu technologii GaAs i InP. GaAs jest wykorzystywany w półprzewodnikach bliskiej podczerwieni znanych z odtwarzaczy CD oraz czerwonych półprzewodników laserowych w odtwarzaczach DVD. Natomiast InP znajduje zastosowanie w podczerwonych półprzewodnikach laserowych wykorzystywanych w urządzeniach telekomunikacji optycznej. SEI jest wiodącym producentem GaAs i InP, zaopatrującym ponad 100 firm (m.in. w Japonii, Europie, USA i Azji) w jej półprzewodniki złożone. Masowa sprzedaż dwu calowych podłoży GaN rozpocznie się jeszcze w tym miesiącu.