Europejskie laboratoria koncernu Sharp, zlokalizowane w Wielkiej Brytanii, wyprodukowały diodę laserową generującą światło o długości fali 400nm nową metodą. W procesie tworzenia niebiesko-fioletowego lasera półprzewodnikowego wykorzystano po raz pierwszy proces MBE (Molecular Beam Epitaxy). Polega on na nanoszeniu warstw epitaksjalnych metodą wiązek molekularnych.
Autor badań, Jonathan Heffernan, razem ze swoimi współpracownikami opublikowali kilka szczegółów dotyczących wyników swych prac. Diody laserowe wytwarzano na podłożu szafirowym nakładając kolejne warstwy azotku indowo-galowego (InGaN). Dotychczas z wykorzystaniem procesu MBE wytwarzano jedynie lasery bardzo niskiej mocy. Natomiast powstające w połowie lat dziewięćdziesiątych niebieskie diody laserowe tworzono z wykorzystaniem technologii MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy - epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych).
Podstawową zaletą technologii MBE jest znacznie niższa konsumpcja surowców w procesie tworzenia półprzewodnika, w szczególności ilości amoniaku jako źródła azotu. Według zespołu kierowanego przez Hefferenan'a, równie ważną zaletą tworzenia półprzewodników metodą MBA jest brak konieczności dodatkowej obróbki termicznej kryształu, w celu uaktywnienia półprzewodnika typu "p", tak jak ma to miejsce w procesie MOVPE.
Badania nadal trwają i obecnie nie ma możliwości wykorzystania nowego lasera w zastosowaniach komercyjnych. Jednakże diody, opracowane nową metodą w laboratoriach firmy Sharp, mają bardzo obiecujące parametry. Prąd progowy lasera, wynoszący 1.5A miał miejsce podczas wykorzystania napięcia 33V. Gęstość prądu progowego wynosi około 30 kAcm-2. Aktualnie laser może pracować w trybie impulsowym z czasem trwania stanu aktywnego 200ns.
Mam nadzieję, że odrobina mikroelektroniki w tym artykule nikomu nie zaszkodziła ... zwłaszcza teraz - w okresie zdobywania zaliczeń i sesji ;-)