Samsung Electronics ogłosił, że opracował najszybszą przemysłową wersję pamięci GDDR3 512MB (Graphics Double Data Rate 3), o przepustowości 2 GB na sekundę. Najnowsza pamięć Samsunga znajdzie zastosowanie głównie w rozwiązaniach graficznych, które mogą pracować z maksymalną prędkością 9 GB na sekundę. Jest to aż 70% wzrost wydajności w porównaniu z pamięciami 1.2 GB. Firma rozpoczęła również masową produkcję swojej pamięci 1.6 GB 512 MB GDDR3, która została opracowana w grudniu zeszłego roku. Generowane pasmo transmisji może sięgać 6.4 GB na sekundę. Nowa 2GB pamięć ma stanowić podstawę przy produkcji konsol następnej generacji. Według przewidywań Samsunga, globalny rynek pamięci graficznej DRAM wzrośnie w tym roku o 43%, generując 1.5 miliarda dolarów zysku, natomiast w przyszłym roku będą to już 2 miliardy dolarów.