Samsung Electronics poinformował o opracowaniu 70 nanometrowych kości pamięci 512 MB DDR2 SDRAM. Dzięki nowej technologii, nowe pamięci będą znacznie bardziej energooszczędne (1.8 V).

W procesie technologicznym wykorzystano wiele zaawansowanych technologii, jak na przykład technologię kondensatorów Samsunga w układzie MIM (metal - izolator - metal), trójwymiarową architekturę tranzystorów znaną pod nazwą 'Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor'. Po technologii 90 nanometrowej, obecnym standardem przemysłowym jest 80 nm, jednak dopiero od połowy przyszłego roku kości pamięci DDR2 70 nm wejdą do produkcji masowej. Ich głównym zastosowaniem będą urządzenia przenośne, w których przede wszystkim liczą się rozmiary.