Firmy Epson i Fujitsu zaprezentowały wyniki badań swoich połączonych zespołów nad dostarczeniem technologii Ferroelektrycznych Pamięci Swobodnego Dostępu (FRAM). Prace nad rozwojem technologii FRAM przez połączone siły obu firm trwały od 2005 roku. Udało się osiągnąć trzykrotne przyspieszenie względem konwencjonalnych FRAM oraz wydłużyć żywotność produktu (pamięci wytrzymują ponad 100 trylionów operacji zapisu i odczytu). Pamięci te są kompatybilne z istniejącymi układami CMOS (nie wymagają przebudowy ich operacji logicznych), więc nie ma przeszkód w szybkim wdrożeniu tych niezwykle szybkich i bezpiecznych układów do masowej produkcji. Na schemacie przedstawiona jest struktura kryształu, z którego powstają nowe pamięci.