Informujemy, iż w celu optymalizacji treści dostępnych w naszym serwisie,
w celu dostosowania ich do indywidualnych potrzeb każdego użytkownika, jak również dla celów reklamowych i
statystycznych korzystamy z informacji zapisanych za pomocą plików cookies na urządzeniach
końcowych użytkowników. Pliki cookies użytkownik może kontrolować za pomocą ustawień swojej
przeglądarki internetowej. Dalsze korzystanie z naszych serwisów internetowych, bez zmiany ustawień
przeglądarki internetowej oznacza, iż użytkownik akceptuje politykę stosowania plików cookies
Firma Toshiba zaprezentowała dziś nowe komórki pamięci flash NAND. Dzięki trójwymiarowej strukturze wzrosła gęstosć upakowania danych i, tym samym, pojemność bez zmiany procesu technologicznego i kosztem minimalnego wzrostu wymiarów chipa pamięci.
Firma uważa, że to znaczny krok w rozwoju pamięci flash, który pozwoli sprostać rosnącym wymaganiom rynku na pojemne moduły flash.
W normalnych modułach pamięci komórki są ułożone płasko w kolejnych warstwach jedne na drugich. Toshiba zoptymalizowała przestrzenną organizację elementów redukując długość obwodów i układając elementy pionowo w stosach zorganizowanych w filary porozdzielane warstwami elektrod. Schemat struktury przestrzennej obrazuje załączona rycina.
Pamięć flash funkcjonuje dzięki kolejnemu odczytowi wielu komórek w serii. Nowa technologia umożliwia ich gęstsze upakowanie przestrzenne a ilość połączeń rośnie proporcjonalnie do wielkości stosów. Przykładowo 32 warstwowy stos komórek pamięci zorganizowanych według nowej technologii daje dziesięciokrotny wzrost upakowania względem standardowej pamięci przy tej samej wielkości pojedynczego modułu.
W porównaniu do standardowego procesu produkcyjnego, dzięki nowej organizacji przestrzennej pamięci dalszy wzrost pojemności będzie wymagał mniejszych nakładów finansowych.
No ka?da taka informacja cieszy niezmiernie, jeszcze tylko ?eby teraz nie opatentowali swojego pomys?u, bo to przyhamowa?oby rozwj pami?ci przynajmniej w tym kierunku i b?dzie dobrze... 10-krotny wzrost upakowania oznacza teoretyczn? mo?liwo?? robienia naprawd? kolosalnych modu?w pami?ci (przynajmniej w porwnaniu z obecnymi) - wyobra?my sobie 80GB ko?? pami?ci micro SDHC+ (SDHC jest przystosowane do max 32GB). Oczywi?cie to daleka przysz?o??, bo takie co? by?oby teraz po prostu za drogie, nawet je?li mo?liwe do wykonania, koszt produkcji 1GB zmala?by mo?e o 20-30%, a mo?e i nie. Ale rozwi?zanie na pewno zaprocentuje, szczeglnie, ?e coraz cz??ciej mwi si? o tym, ?e ju? nied?ugo dojdziemy do granicy pomniejszania procesu technologicznego komrek pami?ci i rozwj w tym kierunku zatrzyma si? - trzeba wi?c my?le? o innych rozwi?zaniach.
zbynia
- 13 June 2007, 12:34:08
moze toshiba nie opatentuje - najwazniejsze zeby nie znalazla sie firma krzak ktora juz na to patent posiada.........
czekam na mikro sd o pojemnosci 32 giga :)))))
Jarson
- 13 June 2007, 13:39:38
A ja jeszcze co? takiego znalaz?em (poprawka do mojej koncepcji SDHC+):
"(...) they release 16Gb and 32Gb MicroSD HC cards, but if the acceleration continues as it has, 8Gb cards will become common a lot sooner than 2010, with 32Gb cards likely to be common in that timeframe, and a MicroSD Super High Capacity likely to have been invented to allow these theoretical MicroSD SHC cards to store 100Gb or more"
Jeszcze odrobina wolnego t?umaczenia, poszerzona o niezacytowane tre?ci:
Samsung, bo o nim mowa, po przedstawieniu swoich 8GB microSD (o czym ju? raczej wszyscy wiemy) napomkn?? rwnie? o dalszych planach odno?nie pami?ci TransFlash - pocz?tkowo planowa? wypuszczenie na rynek microSD 16 i 32GB oko?o 2010, ale okazuje si?, ?e mo?e sta? si? to znacznie szybciej. Wobec tego nale?a?o pomy?le? o nowym rozwi?zaniu, ktre pozwoli na ci?g?y rozwj rynku - jest nim format microSD Super High Capacity, w ktrym mo?liwe b?dzie wykonanie kart o pojemno?ci 100GB i wi?kszych.
