Informujemy, iż w celu optymalizacji treści dostępnych w naszym serwisie,
w celu dostosowania ich do indywidualnych potrzeb każdego użytkownika, jak również dla celów reklamowych i
statystycznych korzystamy z informacji zapisanych za pomocą plików cookies na urządzeniach
końcowych użytkowników. Pliki cookies użytkownik może kontrolować za pomocą ustawień swojej
przeglądarki internetowej. Dalsze korzystanie z naszych serwisów internetowych, bez zmiany ustawień
przeglądarki internetowej oznacza, iż użytkownik akceptuje politykę stosowania plików cookies
Pamięć zmiennofazowa - następca flasha coraz bliżej
Bartek Wróbel00:13
Potencjalnym następcą popularnych pamięci flash są pamięci zmiennofazowe. Intel i STMicroelectronics współpracują nad wprowadzeniem produktów w nowej technologii do końca tego roku. Firma Samsung już obwieściła, że takie moduły będą gotowe przed końcem 2007 r.
Pojęcie pamięci zmiennofazowych zostało sformułowane w latach 60-tych. Oferując prędkość zapisu do 10ns na jeden bajt są one około 100 tysięcy razy szybsze od pamięci flash. W dodatku, są od nich trwalsze - można na nich dokonać zapisu do 100 milionów razy na sektor. Umożliwiają przechowywanie danych przez długi czas bez ryzyka ich uszkodzenia. Ostrożne prognozy mówią nawet o 10 latach. Natomiast pamięci flash, wytrzymują 10-100 tysięcy zapisów na sektor. Później ich wydajność spada.
Firma Samsung poinformowała że zacznie produkcję od modułów o pojemności 512MB. Nieznana jest jeszcze cena produktu.