Firma Toshiba poinformowała o przełomie w technologii produkcji pamięci MRAM. Prezentacja osiągnieć firmy nastąpiła na zakończonej dziś konferencji 52nd Magnetism and Magnetic Materials Conference w Tampa na Florydzie (USA). Firmie udało się wyprodukować działające komórki pamięci i osiągnąć stabilne osiągi. Ze szczegółami technicznymi można zapoznać się w oświadczeniu firmy. Sama budowa komórek pamięci MRAM jest relatywnie prosta. Zapis odbywa się dzięki polu elektromagnetycznemu generowanemu dzięki określonemu spinowi elektronów. Problemem dotychczas było właśnie przełączanie kierunki spinu. Zapis wymaga użycia minimalnych ilości energii a całe komórki charakteryzuje wysoki poziom integracji.