Grupa japońskich naukowców poinformowała o opracowaniu nowej technologii dla pamięci flash. Ma ona pozwalać na znaczne zwiększenie cykli zapisu/odczytu oraz zmniejszenie poboru prądu. Efekt ten osiągnięto poprzez zastosowanie Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors (FeFETs) zamiast stosowanych obecnie w pamięciach flash MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Jak twierdzą pomysłodawcy, dzięki technologii ferroelektrycznej możliwe jest zwiększenie cykli zapisu/odczytu do 10 milionów. Obecne rozwiązania flash pozwalają na kilkadziesiąt, maksymalnie kilkaset tysięcy takich cykli. Ponadto, nowe pamięci mają pozwolić na dłuższy okres przechowywania danych (nawet do 10 lat). Obecnie technologia jest w trakcie rozwoju, co powoduje, że nie ma żadnych informacji na temat przewidywanej daty pojawienia się nowych pamięci w sprzedaży, czy też ich ceny. Nie wiadomo również, jakie są koszty produkcji pamięci wykorzystujących tę technologię, co jest decydującym czynnikiem wpływającym na decyzję o rozpoczęciu masowej produkcji.