Samsung zamierza rozpocząć w czerwcu masową produkcję modułów PRAM (Phase-change RAM). Chipy te stanowią kolejny krok w rozwoju układów pamięci, łącząc zalety pamięci NAND flash oraz NOR. Są one ok. 30 razy szybsze niż tradycyjne pamięci flash, a przy tym przynajmniej dziesięciokrotnie bardziej trwałe (która to cecha wydaje się być szczególnie istotna, jako że ograniczona ilość cykli ponownego zapisu jest jedną z czołowych wad pamięci NAND flash).



Moduły PRAM oparte są na materiale, który pod wpływem temperatury zmienia swoją postać z krystalicznej na amorficzną. Przy odczycie danych obszary amorficzne interpretowane są jako "0", a krystaliczne jako "1". Istotną cechą tych pamięci jest to, że pojedyncze bity mogą być zmieniane bez konieczności uprzedniego wykasowania całego bloku danych (jak to ma miejsce w chipach NAND flash), co jest jedną z głównych przyczyn wysokiej wydajności pamięci PRAM. Moduły PRAM mają ponadto stanowić konkurencję dla technologii NOR flash, jako, że są łatwiejsze (a co za tym idzie - tańsze) w produkcji. Samsung po raz pierwszy zaprezentował prototypowe moduły PRAM w 2005 roku - miały one pojemność 256 MB. Układy, które wejdą do masowej produkcji w przyszłym miesiącu będą oferować pojemność dwukrotnie większą. Jest to wciąż stosunkowo niewiele - najpojemniejsze dostępne obecnie na rynku chipy pamięci NAND flash mają pojemność 4 GB, czyli ośmiokrotnie większą - można jednak oczekiwać, że Samsung będzie się starał szybko rozwinąć swoją technologię tak, aby stała się atrakcyjna również pod względem pojemności.