Samsung poinformował o swoim najnowszym osiągnięciu w zakresie pamięci NAND flash. Producentowi udało się stworzyć najcieńsze na świecie wielowarstwowe (multi-die) moduły pamięci flash. Są one zbudowane z ośmiu umieszczonych jeden na drugim 32 Gb chipów wytwarzanych w 30 nm procesie technologicznym. Łączna pojemność modułów wynosi 32 GB (8x32 Gb), natomiast ich grubość zaledwie 0,6 mm.



Grubość pojedynczych warstw składających się na nowe moduły jest o połowę mniejsza niż warstw używanych dotychczas i wynosi zaledwie 15 mikrometrów. Pozwoliło to na zredukowanie o 40% zarówno grupości jak i wagi nowych układów pamięci. Dotychczas przekroczenie granicy 30 mikrometrów przysparzało inżynierom szereg trudności zewzględu na zbyt niską odporność mechaniczną takich warstw, które łatwo było uszkodzić. Zaprezentowane moduły mogą znaleźć zastosowanie w szeregu rozwiązań, w szczególności we wszelkich urządzeniach mobilnych, w których rozmiar i waga poszczególnych podzespołów stanowią kluczową kwestię. Ponadto sama technologia wytwarzania chipów o tak niewielkiej grubości może zostać wykorzystana przy tworzeniu innych modułów MPC (Multi-Chip Packages), skonfigurowanych jako SiP (System on Package) lub PoP (Package on Package).