Milton Feng i Walid Hafez – amerykańscy badacze z Uniwersytetu Illinois w Urbana-Champaign – zbudowali najszybszy tranzystor na świecie. Odkrycie może otworzyć drogę do budowy nowej generacji układów elektronicznych. Opracowany przez Amerykanów tranzystor może pracować z rekordową częstotliwością 604GHz. Kluczem do uzyskania takiej wydajności jest materiał, z którego wykonane są trzy ułożone na sobie warstwy (baza, emiter i kolektor) tranzystora. To mieszanka fosforku indu i arsenku indowo-galowego. Szczególnie w warstwie kolektora precyzyjnej kontroli poddawana jest stuktura krystaliczna materiału, który ma stawiać możliwie najmniejszy opór elektronom. Amerykańscy naukowcy przyznają, że do budowy układu scalonego z takimi tranzystorami droga jest jeszcze daleka, ale właśnie postawiono na niej pierwszy krok.