IBM wynalazł nowy stop półprzewodników za pomocą którego można wytworzyć szybkie i małe pamięci. Pierwotnie użyty do badań stop to GST – german, antymon i tellur. Dzięki niemu możliwa jest produkcja tanich i szybkich nośników będących alternatywą dla pamięci flash. Stopy GST były już wykorzystywane do produkcji nośników optycznych – pod wpływem światła lasera krystalizują się zmieniając właściwości fizyczne. Jednak IBM odkrył, iż podobny efekt można uzyskać wykorzystując impuls elektryczny. Materiał dostosowano tworząc GS – german z antymonem. Wg zapewnień wynalazców można stworzyć pamięć szybszą aż 500 razy od standardowej pamięci flash. W dodatku nowe komórki pamięci są bardzo małe – tylko 20 nanometrów długości i 3 wysokości. Dalsze zmniejszenie ich w przyszłości pozwoli uzyska gęstości danych nieosiągalne innymi metodami. Czekamy na dokładniejsze dane techniczne urządzeń i nośników - wdrożenia i testy.