Na efekt prac nad pamięciami X4 w postaci gotowych produktów korzystających z nich będziemy musieli jeszcze trochę poczekać, natomiast już w okolicach połowy bieżącego roku SanDisk zamierza rozpocząć sprzedaż kart pamięci zbudowanych z modułów MLC X3.



Początkowo na rynku mają pojawić się karty wykonane w procesie technologicznym 43 nm (tym samym, który zostanie użytych do pamięci X4), natomiast w drugiej połowie roku SanDsik i Toshiba zamierzają rozpoczać produkcję rekordowo gęstych układów NAND flash, korzystających z 32 nm procesu technologicznego. Będą one miały pojemność 32 Gb i pozwolą na tworzenie kart pamięci microSD mieszczących dwukrotnie więcej danych niż w przypadku użycia chipów 43 nm. Nowe chipy zajmą powierzchnię 113 mm2. Będą miały opatentowaną przez SanDiska architekturę All-Bit-Line (ABL), która pozwala na uzyskanie wysikiej wydajności układów pomimo ich skomplikowanej budowy (reguła jest taka, że im więcej bitów mieści jedna komórka pamięci, tym bardziej skomplikowana jest jej budowa, a co za tym idzie, tym trudniej uzyskać wysokie prędkości zapisu i odczytu danych). 32 Gb 43 nm chipy MLC X3 NAND flash powinny posłużyć do produkcji kart microSD o pojemności do 32 GB. Przy okazji nowych informacji o osiągnięciach SanDiska warto zauważyć, że nazewnictwo pamięci NAND flash mieszczące po parę bitów w jednej komórce pamięci doczekało się pewnej systematyzacji, dzięki wprowadzeniu indeksu X2, X3 itd, który ułatwia rozróżnianie poszczególnych technologii.